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把MSQ粘附到衬里氧化物的方法和结构<%=id%> |
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摘要
在半导体基板上沉积衬里电介质的方法保证了用亚微米工艺在金属层之中低介电常数旋压材料的足够的粘附。在实施例中，该方法保证把MSQ粘附在衬里氧化物在半导体基板上的铝合金层上。首先，将基板放入PECVD环境中。把三甲基硅烷和N2O的气体混合物导入PECVD环境中，三甲基硅烷与N2O的比例大约为1∶20-1∶30。气体混合物起反应，沉积一预定厚度的氧化物衬里。把三甲基硅烷与N2O气体混合物的比例调到大约1∶3-1∶7，经过5-20秒钟，持续反应，由此沉积甲基掺杂氧化物。
主权项
权利要求书
1.一种半导体器件，该器件包括形成图案的金属层、第一衬里
电介质层、第二衬里电介质层和旋压电介质层，第二衬里电介质层比
第一衬里电介质层具有对金属更小的化学亲和力和对旋压电介质层更
强的化学亲和力。
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