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第二光阻层，曝光显影第二光阻层，以暴露出一预定区域的第一光阻层，再进行一非等向性O2/SO2等离子干蚀刻制程，以去除预定区域中的第一光阻层，最后进行一干式去残留物程序，以去除该O2/SO2等离子干蚀刻制程中所产生的残留物；本发明方法结合非等向性O2/SO2等离子干式显影步骤，并且增加一道干式去残留物的制程，只需要氟碳化合物气体与氧气的混合气体等离子冲击开口处残余的残留物数秒钟，便可以去除在双层光阻微影中所产生的残留物；可以解决习知干式显影过程中的残留物问题，且制程时间短，完全不会造成半导体制程的复杂化与产能降低。
主权项
权利要求书
1.一种无残留物双层微影方法，其特征是：该方法包含有下列步
骤：
涂布一第一光阻层于一基底上；
烘烤该第一光阻层；
涂布一第二光阻层于该第一光阻层表面；
曝光显影该第二光阻层，以暴露出一预定区域的该第一光阻层；
进行一干式蚀刻，利用一非等向性氧气/二氧化硫等离子为一蚀刻气
体，蚀刻该预定区域中的该第一光阻层；以及
进行一干式去残留物程序，利用一氟碳化合物气体/氧气等离子，在
一预定无线电频率下电极功率以及一预定压力下，在一预定时间内去除该
干式蚀刻过程中所产生的残留物。
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