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一种氟硅玻璃(FSG)层表面处理的方法，该方法包括有下列步骤：首先在一半导体芯片上沉积一氟硅玻璃层，接着现场(in-situ)移除该氟硅玻璃层的上表层的部分氟离子，以形成一预定厚度的硅氧层。然后在该硅氧层上涂覆一光致抗蚀剂层，经过一曝光制作工艺于该光致抗蚀剂层中形成一预定潜在(latent)图案，最后经过一显影制作工艺，以去除该预定潜在图案的该光致抗蚀剂层，暴露出相对于该预定潜在图案下方的该硅氧层。本发明方法可以解决氟硅玻璃中的氟离子扩散至氟硅玻璃的表面，形成氢氟酸而造成毒害光致抗蚀剂、腐蚀金属或可靠度问题。
主权项
权利要求书
1.一种氟硅玻璃(fluorinated silicate gla ，FSG)层表面处理的方法，该方
法包括有下列步骤：
在一半导体芯片上沉积一氟硅玻璃层；
现场(in-situ)氧化该氟硅玻璃层的一上表面，以形成一预定厚度的硅氧
层；
在该硅氧层上涂覆一光致抗蚀剂层；
曝光(exposing)该光致抗蚀剂层，以于该光致抗蚀剂层中形成一预定潜
在(latent)图案；以及
显影(developing)该光致抗蚀剂层，以去除该预定潜在图案的该光致抗蚀
剂层，暴露出相对于该预定潜在图案下方的该硅氧层。
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