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颁 证 日：
优 先 权：
2001.9.27 JP 296391/2001
申请(专利权)人：
株式会社东芝
地 址：
日本东京
发 明 (设计)人：
園田真久;田弘昭;坂上栄人;金高秀海
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京市中咨律师事务所
代 理 人：
李峥;陈海红
摘要
本发明提供了一种在具有STI的半导体装置中使用的沟槽内壁的平面和平面边界及边、角或者角落的交界等的周边部分上没有应力集中，在交界部分上结晶缺陷难以发生的半导体装置。本发明半导体装置100，包含具有形成元件的基板表面12的半导体基板10；电气分离在基板表面中形成元件的元件区域和其他区域的沟槽60；其中，位于沟槽侧面62和底面64间的交界部分80，被形成具有80nm以上的曲率半径的曲面形状。
主权项
权利要求书
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
具有形成元件的基板表面的半导体基板；
具有与上述基板表面相对的相对面，用栅绝缘膜和上述半导体基板电
气绝缘的栅电极；以及
形成贯通上述栅电极到达上述半导体基板的，电气分离在上述基板表
面中形成元件的元件区域和其他区域的沟槽；
其中，位于上述沟槽的侧面和上述沟槽的底面之间的交界部分，形成
具有80nm以上曲率半径的曲面形状。
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