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设于该硅导电层顶面；以及一金属导电层，设于该绝缘层表面并覆盖于该介电层上；由于本发明利用硅材料作为下电极，所以可高温处理而于硅材料表面形成一品质较佳的介电层，以避免如金属-金属逆熔丝的介电层漏电流大的问题。此外，本发明利用金属材料作为上电极，因此可有效避免硅-硅逆熔丝具有高电阻值的问题。
主权项
权利要求书
1.一种低导通电阻及断路漏电的逆熔丝，该逆熔丝设于一基底的
绝缘层上，其特征是：该逆熔丝包含有：
一硅导电层，设于该绝缘层中并约略突出于该绝缘层表面；
一介电层，设于该硅导电层顶面；以及
一金属导电层，设于该绝缘层表面并覆盖于该介电层上。
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