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颁 证 日：
优 先 权：
2001.9.27 JP 297182/2001
申请(专利权)人：
三菱电机株式会社
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
印部贵之
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
马铁良;叶恺东
摘要
热电转换元件(8)由N型半导体区域(13)、P型半导体区域(14)及金属布线(12a～12c)构成。其N型半导体区域(13)与在元件形成区域(4)形成晶体管的n-杂质区域及n+杂质区域的同时形成。P型半导体区域(14)与形成其他晶体管的p-杂质区域及p+杂质区域的同时形成。还有，在热电转换元件(8)中的金属布线(12a～12c)与形成连接于晶体管的金属布线的同时形成。由此，能够得到既不增加生产成本又能容易得到冷却效果的半导体装置。
主权项
权利要求书
1.一种半导体装置，其具有：
形成在半导体衬底的主表面的规定的区域上、包含第1导电型杂
质区域及第2导电型杂质区域的规定的元件；
与上述规定的元件电连接的导电区域；
形成在上述半导体衬底的主表面上、一端侧配置在上述规定的区
域的近旁吸收在上述规定的元件工作时产生的热、他端侧配置在上述
半导体衬底的区域中发热量比较少的区域上的热电转换元件，其中
上述热电转换元件具备：
在上述半导体衬底的主表面上、从上述规定的区域的近旁跨过上
述发热量比较少的区域分别形成的第1导电型半导体区域及第2导电
型半导体区域；
在上述一端侧与上述第1导电型半导体区域及上述第2导电型半
导体区域电连接的第1布线部；
在上述他端侧与上述第1导电型半导体区域电连接的第2布线
部；
在上述他端侧与上述第2导电型半导体区域电连接的第3布线
部。
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