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分 类 号：
H01L27/04;H01L21/768
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.3 JP 307784/2001
申请(专利权)人：
富士通株式会社
地 址：
日本神奈川
发 明 (设计)人：
小林修;渡边秋好
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
付建军
摘要
电容器元件的下电极和布线形成在作为比最上布线层更低的一个层面的布线层中。然后，在形成电容绝缘膜之后，在其整个表面上形成TiN膜，然后对该TiN膜进行构图，从而形成电容器元件的上电极和用于把上电极电连接到第三布线层的布线的引线。另外，在最上层中，形成一个覆盖电电容器元件的上部分的屏蔽。
主权项
权利要求书
1.一种半导体器件，其中包括：
半导体基片；
隔着层间绝缘膜叠加在所述半导体基片上的N个金属布线层(N
为大于或等于3的整数)；以及
电容器元件，其中包括形成于所述半导体基片上的下电极、电容
绝缘膜和上电极，其中
所述电容器元件的下电极形成于紧接着在最上布线层下方的第
N-1个布线层中，所述电容绝缘膜和所述上电极形成在第N-1个布线
层和第N个布线层之间，并且所述上电极与第N-1个布线层的布线电
连接，它们之间没有插入所述第N个布线层。
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