共享位线交叉点存储器阵列<%=id%>

提供了一种共享位线交叉点存储器阵列结构，以及制造和应用它的方法。存储器结构包括一个底部字线以及覆盖底部字线的顶部字线。在底部字线与顶部字线之间插入一个位线从而使得在底部字线与位线之间形成一个第一交叉点，以及在位线与顶部字线之间形成一个第二交叉点。具有这样一种性能的材料，例如阻抗能够响应输入电压而被改变，被提供在位线之上及之下的每一交叉点处。
主权项
　权利要求书 1.一种存储器结构包括： a)一个基底； b)覆盖基底的多个底部字线； c)覆盖多个底部字线的多个顶部字线； d)在多个底部字线与多个顶部字线之间插入的多个位线，其中每一个位线交叉在顶部字线与底部字线之间，它与每一个底部字线以及每一个顶部字线形成一个交叉点； e)在多个底部字线与多个位线之间在每一个交叉点处插入的第一钙钛矿材料区域； f)在多个顶部字线与多个位线之间在每一个交叉点处插入的第二钙钛矿材料区域。

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