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颁 证 日：
优 先 权：
2001.9.27 JP 297642/2001
申请(专利权)人：
三菱电机株式会社
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
山本文寿
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
杨凯;叶恺东
摘要
本发明旨在减少包含耗尽型N沟道晶体管的半导体装置中噪声的发生。耗尽型N沟道晶体管，具有以圆形形成的漏区7，并以将漏区包围的方式设置外周为圆形的栅区5。再以将漏区包围的方式在栅区的外侧设置源区71，源区跟元件分离用氧化膜3以预定的距离隔开。例如，在源区的外侧形成P+扩散层8，通过该P+扩散层仅以预定的距离将源区和元件分离用氧化膜隔开。并且，在P+扩散层形成和源区共用的接触孔10，栅区与漏区设置成同心圆。
主权项
权利要求书
1.一种包含耗尽型N沟道晶体管的半导体装置，所述耗尽型N沟
道晶体管包含以圆形形成的漏区、以将该漏区包围的方式设置的栅区
和以将所述漏区包围的方式在所述栅区的外侧设置的源区，其特征在
于：所述源区以预定的距离和元件分离用氧化膜隔开。
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