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颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.4 JP 2001－308429;2002.8.30 JP 2002－256229
申请(专利权)人：
富士通株式会社
地 址：
日本神奈川县
发 明 (设计)人：
杉山剛一;鹰尾義弘;菅谷慎二;松永大辅
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
朱海波
摘要
在此提供一种半导体器件，其中包括：隔着栅绝缘膜形成在第一导电型的半导体基片上的栅极；绝缘离子注入控制膜，其由不同材料所制成并且按次序形成在栅极的两侧表面上的的第一绝缘膜和第二绝缘膜所形成，以及该第一绝缘膜和第二绝缘膜具有在栅极的半导体基片两侧之间高于该栅绝缘膜的间隔；形成在半导体基片中的栅极两侧上作为源极/漏极的一个第二导电型的第一和第二杂质扩散层；形成在半导体基片中的该第二导电型的第一和第二杂质扩散层之间并且在栅极下方的第一导电型的沟道区；以及第一导电型的第一和第二袋状区，其具有比在该沟道区下方的半导体基片中连接到第二导电型的第一和第二杂质扩散层的各个端部的沟道区更高的第一导电型的杂质浓度。
主权项
权利要求书
1.一种半导体器件，其中包括：
隔着栅绝缘膜形成在第一导电型的半导体基片上的栅极；
绝缘离子注入控制膜，其由不同材料所制成并且按次序形成在栅极
的两侧表面上的第一绝缘膜和第二绝缘膜所形成，以及该第一绝缘膜和
第二绝缘膜具有在栅极的半导体基片两侧之间高于该栅绝缘膜的间隔；
形成在半导体基片中的栅极两侧上作为源极/漏极的第二导电型的
第一和第二杂质扩散层；
形成在半导体基片中的该第二导电型的第一和第二杂质扩散层之间
并且在栅极下方的第一导电型的沟道区；以及
第一导电型的第一和第二袋状区，其在该沟道区下方的半导体基片
中，具有比连接到第二导电型的第一和第二杂质扩散层的各个端部的沟
道区更高的第一导电型的杂质浓度。
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