光生伏打元件和光生伏打器件<%=id%>

　作为透明导电膜的ITO膜形成在半导体层上，该半导体层包括非晶半导体或微晶半导体，在ITO膜上形成梳状集电极，并且在ITO膜和集电极上放置含有碱离子的护罩玻璃，其中由EVA构成的树脂膜置于其间。ITO膜(透明导电膜)的(222)晶面取向度不小于1.0，优选不小于1.2且不大于2.6，更优选不小于1.4且不大于2.5。或者，透明导电膜具有在相对于半导体层的边界一侧上的(321)晶面取向和在其余部分中的主要的(222)晶面取向。当ITO膜的总厚度为100nm时，在半导体层一侧上的10nm厚的部分中的(321)/(222)衍射强度比不小于0.5且不大于2.5。
主权项
　权利要求书 1、一种光生伏打元件，包括：包含非晶半导体或微晶半导体的半导体层；和由掺杂杂质的氧化铟膜构成的透明导电膜，所述透明导电膜设置在所述半导体层的光入射侧上，其中，所述透明导电膜的(222)晶面取向度不小于1.0。

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