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用PLD方法制备的具有正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料<%=id%> |
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发明公开了属于磁学量传感器材料的一种用PLD方法制备的具有室温正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料。是在Si(100)基片上,用不同比例的Co-C复合冷压靶材,在3Pa氩气条件下,利用PLD方法在一定温度下沉积得Co-C薄膜。在同样制备条件下,不同靶材成分,其薄膜厚度不同,薄膜厚度约为:60-100nm。该材料在温度为300K、外加磁场为1T的条件下的正磁阻效应可高达22%。Co-C材料价格低廉,性能优越,是一种很好的磁传感器材料。
主权项
权利要求书
1.一种用PLD方法制备的具有室温正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料,其特征在
于:所述Co-C薄膜是由C和Co构成的磁阻材料,其Co摩尔比含量为1-
70%。
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