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能高精度地控制抛光时间的抛光方法和抛光装置<%=id%> |
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法和抛光装置。当氧化硅膜(3)的凹凸消失时,中止抛光。根据其结果,由下式(I)确定抛光时间:T=(D1-D2)/v+t1 (I),其中D1是中止抛光时的膜厚,D2是目标膜厚,t1是从初始膜厚到膜厚D1所需的时间,v是在平整的基底上成膜的氧化硅膜(3)的构成材料的抛光速度。
主权项
权利要求书
1.一种抛光方法,将设置在具有凹凸的晶片表面上的膜化学机
械抛光至目标膜厚,其特征在于,
利用对与抛光对象晶片种类相同的试作晶片进行抛光过程中所得
到的抛光数据,求出抛光前半程所需的预测时间,然后利用在平整的
基底上成膜的上述膜的构成材料的抛光速度,求出抛光后半程所需的
预测时间,将上述所需的预测时间相加所得到的值作为抛光时间,对
抛光对象晶片进行化学机械抛光。
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