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改变DNA分子的能隙，进而改变DNA分子的导电性。由于DNA分子的直径只有2nm左右，因此以这种非光蚀刻技术所制作出的电子器件，不但避开了现在以光蚀刻技术为基础的集成电路工艺中所遇到的线宽瓶颈，而且所具有的最小线宽只有2nm，远小于现在半导体工业技术所能制作的最小线宽0.13μm(130nm)。用于提供光蚀刻技术外另一种集成电路设计的方法，使其能继续向摩尔定律所预言的集成电路更微小化的趋势发展。
主权项
权利要求书
1.一种脱氧核醣核酸逻辑集成电路的制造方法，是利用DNA制造
电子器件或集成电路的方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：
用DNA作为制造半导体基底光电器件的材料；
以聚合连锁反应(PCR)制备双链DNA，利用单链DNA(primer)
当作引子，加入DNA聚合体及必要的缓冲溶液，置于PCR机器，使互补
的两条单链DNA粘接以制造大量固定序列的双链DNA；
以适当浓度的DNA染色剂溶液或适当浓度的治疗癌症药物溶液或适
当浓度的平面金属配位化合物溶液当作掺杂介质，加入固定序列的双链
DNA溶液中，控制溶液中双链DNA的导电特性；
以核酸片断，将各区段经掺杂处理后的DNA接合，以整合为DNA电
子器件网络。
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