|
|
|
|
|
|
|
一种半导体器件的制造方法,该方法能形成适用于超高集成度半导体器件的优良接触插塞。该方法包括在硅衬底21上形成绝缘膜29的阶段、在上述绝缘膜内形成接触孔28的阶段、在上述接触孔的侧面形成氮化膜27的阶段、以及在包括上述氮化膜的接触孔内形成选择性导电性插塞31的阶段。
主权项
权利要求书
1、一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:在硅衬底上形
成绝缘膜的阶段、在上述绝缘膜内形成接触孔的阶段、在上述的接触孔的侧
面形成氮化膜的阶段、在包括上述氮化膜的接触孔内选择性形成导电插塞的
阶段。
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |