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集成电路器件的制作方法包括：在半导体衬底上的第一层互连线上制作层间绝缘膜，在膜中制作互连线沟槽和开接触孔；在沟槽和开孔内制作阻挡膜，使得在接触孔的整个底部，其膜厚从孔底部中间向侧壁增大；在阻挡膜上制作铜膜，形成第二层互连线，并用CMP法抛光形成连接部分(柱塞)。按照本发明，电流从第二层互连线经连接部分(柱塞)流向第一层互连线的最短几何路径，与阻挡膜电阻最低的薄的部分不一致，而可使电流通路分散，不易发生电子的聚集。
主权项
权利要求书
1.一种半导体集成电路器件，包括：
(a)在半导体衬底上形成并且具有开孔的绝缘膜；
(b)在所述开孔底部和侧壁上形成的第一导电膜，膜厚从所述开
孔底部中间向侧壁增大；
(c)在所述第一导电膜上形成并且嵌在所述开孔中的第二导电膜。
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