化合物半导体装置<%=id%>

onLo )采用了加大栅宽度Wg，使FET关电阻减少的设计方法。另外，衬垫与配线层的间隔距离也取20μm以上。在2.4GHz以上的高频带上着眼于省略分路FET确保隔离(Isolation)的设计，到现在为止的FET“开”电阻的减少认为是次要的。亦即，在化合物半导体装置中，开关用FET的栅宽度Wg设定为700μm以下，在其尺寸减少的同时，衬垫及配线层之下设有杂质区域40，并在确保高频信号的耦合和耐压的情况下减少空间，其结果，能大幅减少芯片尺寸。
主权项
　权利要求书 1.一种化合物半导体装置，其特征在于，包括有：化合物半导体基板；在所述化合物半导体基板上设置的衬垫；在所述衬垫上配备固定接合的接合线，直接配置在所述基板上的所述衬垫，在所述衬垫之下的所述基板表面上设有活性化的杂质区域；利用所述杂质区域限制所述衬垫下的耗尽层的扩大。

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