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倾斜离子注入型垂直腔面发射激光器及其制作方法<%=id%> |
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直腔面发射激光器及其制作方法，由下电极1，n-GaAs衬底2，多层1/4波长的n-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x为0.05-0.2，y为0.5-1)异质薄膜下反射镜3，n-AlzGa1-zAs(z为0.3-0.5)下限制层4，GaAs有源层5，p-AlzGa1-zAs上限制层6，多层1/4波长p-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs上反射镜7和上电极8，出光窗口9，离子注入高阻区10和非离子注入的电流导通区11构成。导通区11呈漏斗状，由两次钨丝垂直交叉掩膜四面倾斜离子注入形成。该激光器具有低阈值，高均匀性和成品率，低串联电阻等优点。
主权项
权利要求书
1、一种倾斜离子注入型垂直腔面发射激光器，由下电极(1)，n-GaAs衬底(2)，
多层1/4波长的n-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x为0.05-0.2，y为0.5-1)异质
薄膜下反射镜(3)，n-AlzGa1-zAs(z为0.3-0.5)下限制层(4)，GaAs有源
层(5)，p-AlzGa1-zAs上限制层(6)，多层1/4波长p-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs上
反射镜(7)和上电极(8)，出光窗口(9)，可以隔离电流的离子注入高阻区
(10)和非离子注入的电流导通区(11)构成，其特征在于：离子注入高阻
区(10)下面的面积大、上面的面积小，呈倾斜状，即非离子注入的电流导
通区(11)呈上面大、下面小的漏斗状。
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