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摘要
本发明提供了在半导体器件制造的CMP工艺中,能抑制金属层过度氧化、对金属层和/或阻挡层等进行研磨、且能根据不同用途调节研磨速度的研磨剂及研磨方法。使含有抛光磨料和肽的研磨剂与氧化剂一起悬浮于水系介质中,将pH调整到7以上,制成研磨剂浆液。使该研磨剂浆液负载于CMP装置的研磨布上,然后对半导体基板上形成的Cu等金属层和/或阻挡层等进行研磨。
主权项
权利要求书
1.研磨剂,所述研磨剂用于半导体器件制造工艺中的化学机械研磨,其
特征在于,含有抛光磨料和肽,对在半导体基板上形成的金属层和/或阻挡层
进行研磨。
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