相关文章
含肽半导体用研磨剂
消除隔离沟槽拐角晶体管器件的间隔层工艺
在原子层沉积过程中使寄生化学气相沉积最小化的装置和原理
半导体用粘接膜、使用了该膜的引线框、半导体装置及其制造方法
检测推测性浮点运算IEEE下溢异常的机制
具有不训练的存储至加载转送预测器
用面向对象的程序设计模拟物理系统的方法和程序
基于内存盘运行微软视窗95/98/ME的方法
数据结构管理装置、数据结构管理系统、数据结构管理方法以及用于记录数据结构管理程序的计算机可读介质
当预测路线失败时从非预测路线提供局部标记以指导搜索的高速缓存
推荐
您现在的位置在:
首页>>
专利
>>
专利推广
逆变器<%=id%>
一种采用FET结构变换器件的逆变器,其特征在于,所述变换器件S1-S6是由SiC(碳化硅)-JFET形成的,其中该逆变器可以实现开关频率高而损耗小。
主权项
权利要求书 1.一种采用FET结构变换器件的逆变器,其中所述变换器件是由SiC(碳 化硅)-JFET形成的。
设为首页
|
加入收藏
|
广告服务
|
友情链接
|
版权申明
Copyriht 2007 - 2008 ©
科普之友
All right reserved