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颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
广东南方宏明电子科技股份有限公司
地 址：
523077广东省东莞市南城科技工业园
发 明 (设计)人：
章士瀛;王振平;王守士
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
代 理 人：
摘要
本发明涉及电子元件技术领域，晶界层半导体陶瓷电容器按下列方法制成：①按照配方范围：0.95～1.05mol的SrCO3，0.95～1.05mol的TiO2，0.001～0.01mol的 2O5配制瓷料。②球磨成粉状，粒度＜1um。③在1150℃～1250℃温度下煅烧。④在上述煅烧后的粉料中添加0.001～0.01mol的MnCO3及按上述煅烧后的粉料的重量比为0.5～5wt％的助熔剂 O、Bi2O3、B2O3、CuO。⑤球磨成粉状，粒度＜1um。⑥在球磨后的瓷料中，混合与其重量比为18～23wt％的聚乙烯醇溶液，然后轧膜成型。⑦冲片。⑧排胶。⑨在1210℃～1260℃温度下，在0.05～0.75mol的H2与0.95～0.25mol的N2混合流动气体中进行还原烧结4小时，然后将温度降至950℃～1100℃，在普通大气中处理30～60分钟。⑩被银电极。本发明原料成本低，总体工艺简单，低温一次烧成，介电性能参数优良，更重要的是它适宜产业化生产。
主权项
权利要求书
1.晶界层半导体陶瓷电容器制造方法，其特征在于该方法按下
列步骤依次完成：
①按照配方范围：0.95～1.05mol的SrCO3，0.95～1.05mol的TiO2，
0.001～0.01mol的 2O5配制烧块。
②球磨成粉状，粒度＜1um。
③在1150℃～1250℃温度下煅烧。
④在上述煅烧后的粉料中添加0.001～0.01mol的MnCO3及按上述
煅烧后的粉料的重量比为0.5～5wt％的助熔剂 O、Bi2O3、B2O3、CuO。
⑤球磨成粉状，粒度＜1um。
⑥在球磨后的瓷料中，混合与其重量比为18～23wt％的聚乙烯醇
溶液，然后轧膜成型。
⑦冲片。
⑧排胶。
⑨在1210℃～1260℃温度下，在0.05～0.75mol的H2与
0.95～0.25mol的N2混合流动气体中进行还原烧结4小时，然后将温
度降至950℃～1100℃，在普通大气中处理30～60分钟。
⑩被银电极。
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