处理基片的方法、形成膜的方法以及制造电子源的方法和设备<%=id%>

分类号： H01J9/02;H01J1/30H01L21/00
颁证日：
优先权： 2001.5.28 JP 159200/2001;2002.5.20 JP 144553/2002
申请(专利权)人：佳能株式会社
地址：日本东京
发明 (设计)人：太田二郎
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
摘要
　本发明的目的是为了实现在基片处理操作中如需要气密气氛的膜形成处理中的生产速度的提高和适于大批量生产。提拱一种在基片上进行预定处理的基片处理方法，包括以下步骤：在气密气氛中放置待处理基片的表面；对气密气氛排气；和在基片上进行预定处理，其中在将被抽空气密气氛从该操作台移动到不同操作台之后，进行处理步骤。
主权项
　权利要求书 1、一种用于在基片上进行预定处理的基片处理方法，该方法包括以下步骤：在气密气氛中放置待处理基片的表面；对所述气密气氛排气；和在基片上进行预定处理，其中在将被抽空气密气氛从用于排气的操作台移动到不同操作台之后，进行所述处理步骤。

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