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颁 证 日：
优 先 权：
2001.6.1 JP 167422/01
申请(专利权)人：
株式会社半导体能源研究所
地 址：
日本神奈川县
发 明 (设计)人：
山崎舜平
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
王岳;梁永
摘要
本发明提供一种用于在短时间内激活加到半导体的杂质元素并进行吸气过程的方法，以及一种使得这样的热处理能够进行的热处理设备。该热处理设备包括进行热处理的n段(n＞2)的处理室、预热室和冷却室，并使用被n段加热单元加热的气体作为加热源来加热衬底。
主权项
权利要求书
1.一种用于加热衬底的热处理设备，使用被气体加热单元加
热的气体作为加热源，包括：
用于进行热处理的n段(n＞2)处理室，每个都具有气体加热单
元；
预热室；和
冷却室，
其中气体供应单元被连接到冷却室的充气口，冷却室的排气口
通过热交换器被连接到第一气体加热单元，第m(1≤m≤(n-1))
处理室的充气口被连接到第m气体加热单元的排气口，第n处理室
的充气口被连接到第n气体加热单元的排气口，第n处理室的排气
口被连接到热交换器，并且热交换器的排气口被连接到预热室的充
气口。
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