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硅烷组合物、硅膜的形成方法和太阳能电池的制造方法<%=id%> |
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;H01L31/0216
颁 证 日：
优 先 权：
2001.8.14 JP 245947/2001;2001.10.17 JP 319304/2001;2001.12.10 JP 375992/2001
申请(专利权)人：
捷时雅株式会社
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
志保浩司;加藤仁史
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
魏金玺;庞立志
摘要
一种用于制造太阳能电池半导体薄膜的硅烷组合物，所述硅烷组合物含有：用式SinRm所示的聚硅烷化合物(式SinRm中，n为3以上的整数，m为n～(2n+2)的整数，m个R互相独立地为氢原子、烷基、苯基或卤素原子，当m个R全部为氢原子、且m＝2n时，n为7以上的整数)和(B)从环戊硅烷、环己硅烷和甲硅烷基环戊硅烷中选择的至少一种硅烷化合物。
主权项
权利要求书
1.一种硅烷组合物，其特征在于，含有：(A)用式SinRm所示的
聚硅烷化合物和(B)从环戊硅烷、环己硅烷和甲硅烷基环戊硅烷中选
择的至少一种硅烷化合物，其中，式SinRm中，n为3以上的整数，m
为n～(2n+2)的整数，m个R互相独立地为氢原子、烷基、苯基或卤素
原子，当m个R全部为氢原子、且m＝2n时，n为7以上的整数。
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