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日:
优 先 权:
2001.8.21 JP 2001-250346
申请(专利权)人:
花王株式会社
地 址:
日本东京
发 明 (设计)人:
大岛良晓;荻原敏也
国 际 申 请:
国 际 公 布:
进入国家日期:
专利 代理 机构:
上海专利商标事务所
代 理 人:
朱黎明
摘要
一种抛光组合物,它包含平均初级粒度为200纳米或更小的磨料、氧化剂、pK1为2或更小的酸和/或它的盐、和水,其中抛光组合物的酸值为20~0.2毫克KOH/克;一种减少基片上微小擦痕的方法,它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片;以及一种制造基片的方法,它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片。该抛光组合物适用于最后抛光记忆硬盘基片和抛光半导体元件。
主权项
权利要求书
1.一种抛光组合物,它包含平均初级粒度为200纳米或更小的磨料、氧化
剂、pK1为2或更小的酸和/或它的盐、和水,其中该抛光组合物的酸值为
20mgKOH/g或更小和0.2mgKOH/g或更高。
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