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分 类 号：
G03F7/26;G03F7/30;D05B1/00
颁 证 日：
优 先 权：
2001.8.28 JP 257810/2001;2002.5.21 JP 146594/2002
申请(专利权)人：
东京威力科创股份有限公司
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
吉原孝介;田中启一;山本太郎;京田秀治
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
章社杲
摘要
对形成对显影液的溶解速度快的抗蚀剂膜并进行曝光处理的晶片的显影处理中，为提高晶片中央部和外部部的线宽度均匀性，通过最初在晶片上盛装低浓度的显影液并放置规定时间来进行显影反应，接着再向晶片涂布比盛装的显影液浓度高的显影液并放置规定时间，之后进行晶片的漂洗处理。
主权项
权利要求书
1.一种显影处理方法，对实施了衬底上的曝光处理的抗蚀剂膜实施显影处
理，对应上述抗蚀剂膜的特性调整显影液的浓度来进行显影处理。
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