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用于使电阻性阵列中信噪比最大化的方法和结构<%=id%> |
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颁 证 日：
优 先 权：
2001.8.31 US 09/944680
申请(专利权)人：
惠普公司
地 址：
美国加利福尼亚州
发 明 (设计)人：
L·T·特兰
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
栾本生;张志醒
摘要
公开了一种使电阻性阵列中信噪比最大化的方法，包括：在行和列的矩阵(40)中将多个存储单元(42)彼此隔开，对每个存储单元(42)选择一个结电阻(R)；将每个行导线连接在行(44)中的存储单元(42)之间，并在存储单元(42)之间选择一个行单位线电阻(rc)；将每个列导线连接在列(46)中的存储单元(42)之间并在存储单元(42)之间选择一个列单位线电阻(rc)；将该存储单元结电阻(R)与行和列单位线电阻(rc)的值相关，以便增大信噪比。还公开了一种使信噪比最大化的电阻性随机存取存储器阵列(40)。
主权项
权利要求书
1.一种设计随机存取存储器(RAM)阵列(80)的方法，该阵列
有电阻元件(rc，R)，用于为阵列保持20分贝或更大的信噪比，该方法
包含：
(a)在一个行和列的矩阵(40)中将多个存储单元(42)安排得互
相隔离，每个存储单元被选择得有一个在0.25兆欧与3.60兆欧之间
的结电阻值(R)。
(b)安排多个导电行线(44)，每个行线在一行(44)中的存储单
元(42)之间连接并被选择得在存储单元(42)之间有一个基本上在
0.0欧姆至0.38欧姆之间的行单位线电阻(rc)值。
(c)安排多个导电列线(46)，每个列线在一列(46)中的存储单
元(42)之间连接并被选择得在存储单元(42)之间有一个基本上在
0.0欧姆至0.38欧姆之间的列单位线电阻(rc)值。
(d)将存储单元结电阻(R)的值与行和列单位线电阻(rc)的值相
关，以便在电阻存储器阵列(40)中有一个20分贝或更大的信噪比。
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