镇流器铁芯片冲压新工艺<%=id%>

分类号： H01F41/02
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：顺德市明亚斯电器有限公司
地址： 528322广东省顺德市勒流镇大晚大塘工业区
发明 (设计)人：周金寰
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：
代理人：
摘要
　一种镇流器铁芯片冲压新工艺，其E形芯片和E形芯片采用互相半错开的排列方式，I形芯片采用缝中植排的方法设计使余料部分狭小，冲制时共有10个工步，先冲2个导正孔及余料，再冲4个叠装点，使I形芯片落料后叠装，然后E芯片冲6个叠装点及冲压其余料，用方销定位，接着上下E芯片在先后位置落料叠装，每次冲压共制成E形芯片和I形芯片各两片，本工艺充分使用硅钢片原材料，利用率高，效率高，冲压片质量光滑平整。
主权项
　权利要求书 1、一种镇流器铁芯片冲压新工艺，其特征在于本工艺共分10个工步：①先冲2个导正孔a 21及余料b 22、余料c 23； ②冲4个叠装点d 24，设定芯片叠装片数计量分开； ③空步； ④I形芯片落料，后叠装； ⑤空步； ⑥冲6个叠装点e 25，； ⑦冲压2个余料f 26； ⑧用方销g 27开始导正定位； ⑨上部E形芯片落料，叠装； ⑩下部E形芯片落料，叠装；以上10个工步在一次冲压过程中同时完成。

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