结晶硅薄膜半导体器件,光电器件及前者的制造方法<%=id%>

01L31/04;H01L31/18
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：日立电线株式会社
地址：日本东京都
发明 (设计)人：冈史人;松村信一;皆川康
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：张元忠;刘玥
摘要
　玻璃衬底上设透明电极，透明电极上设非晶硅层。设置镍层作金属催化剂元素，金属催化剂元素与非晶硅层表面接触，之后，热处理非晶硅层使其结晶，由此形成P型多晶硅层。该多晶硅层有晶体取向和高结晶度。用该多晶硅层作籽晶形成有晶体取向和高结晶度的P_型多晶硅层。并在多晶硅层上顺序形成i_型和n_型多晶硅层。用上述结构，能制成有结晶硅的高结晶度，晶体取向，优良性能和高生产合格率的结晶硅薄膜半导体器件。
主权项
　权利要求书 1、结晶硅薄膜半导体器件，包括：导电衬底或其表面上有导电层的衬底；晶体取向的第1多晶硅层，它的形成方法是，金属催化剂元素引入导电衬底或导电层表面上形成的非晶硅层，或者，金属催化剂元素与非晶硅层的表面部分接触，热处理非晶硅层使其结晶；和用第1多晶硅层作籽晶形成的与第1多晶硅层有相同导电类型的第2多晶硅层。

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