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br> 颁 证 日：
优 先 权：
2001.8.24 JP 254971/2001
申请(专利权)人：
株式会社罗捷士井上
地 址：
日本东京
发 明 (设计)人：
日紫喜诚吾
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代 理 人：
王维玉;丁业平
摘要
本发明提供了一种高质量的研磨垫，它适合于半导体晶片等物体的化学机械研磨(CMP)，该研磨垫不受研磨过程中研磨条件改变的影响，能够获得优良的研磨速率、台阶消除能力和均一性，其中使用了一种聚氨酯基泡沫(12)，该泡沫具有微细和均一的气室(20)，适合于半导体等材料的研磨，该泡沫通过使溶解有气体的原材料成型来获得，这种溶解有气体的原材料是通过在压力条件下，将惰性气体溶解在作为主要原材料和各种辅助原材料的聚氨酯或聚脲的混合物中而获得的。
主权项
权利要求书
1.一种研磨垫，由具有所需形状的聚氨酯基泡沫(12)构成，
所述的泡沫通过一种方法获得，该方法包括：将作为主要原材料的聚
氨酯或聚脲与各种辅助原材料混合，在压力下将惰性气体溶解在混合
物中获得溶解有气体的原材料，然后再将溶解有气体的原材料通过反
应注模法注射到反应注射模型(58)中，通过在注射模型(58)中的
反应而获得所述的泡沫，其中聚氨酯基泡沫(12)具有微细和均一的
气室(20)，适合于半导体材料等的研磨。
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