激光辐照方法、激光辐照装置和半导体器件制造方法<%=id%>

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颁证日：
优先权： 2001.8.31 JP 264561/2001
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所
地址：日本神奈川县
发明 (设计)人：田中幸一郎;森若智昭
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：程天正;梁永
摘要
　利用位于被辐照表面紧邻的狭缝，清除或减小了激光的衰减区，致使在激光端部获得了陡峭的能量分布。狭缝被置于被辐照表面紧邻的理由是为了抑制激光的扩展。此外，利用平面镜代替狭缝来折叠激光的衰减区，以便相互提高衰减区中的能量密度，致使在激光端部中获得陡峭的能量密度分布。
主权项
　权利要求书 1.一种激光辐照装置，它包含：激光器；用来将激光器发射的激光的第一能量密度分布转换成被辐照表面上的第二能量密度分布的第一装置；以及用来使具有第二能量密度分布的激光端部中的能量密度均匀化的第二装置，其中第二装置被提供在被辐照的表面与第一装置之间。

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