在绝缘衬底上形成的场效应晶体管以及其集成电路<%=id%>

分类号： H01L21/335;H01L21/84
颁证日：
优先权： 2001.8.28 JP 258334/2001;2001.9.12 JP 276805/2001
申请(专利权)人：精工电子有限公司;林丰
地址：日本千叶县
发明 (设计)人：林丰;长谷川尚;鹰巢博昭;小山内润
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：吴立明;梁永
摘要
　本发明涉及在绝缘衬底上形成的半导体薄膜上形成的场效应晶体管，以及其集成电路。提供这样一种结构，即改善输出电压的最大容许电压和获得双极性晶体管。根据本发明的场效应晶体管采用一种结构，其中为了用较小的区域实现较高的最大容许电压，体区接触区插入源区中间。为了实现增加沟道宽度而没有用于固定体区电位的外部布线的双极性晶体管，也形成晶体管的一种结构，其中设置漏区/源区、第一栅电极、体区接触区部分用具有第一导电类型的第二区布置的部分、第二栅电极以及源区/漏区。用这样的结构，提供可以在相对于传统的体区电位的正和负电位工作的晶体管。
主权项
　权利要求书 1.一种在绝缘衬底上形成的场效应晶体管，包括：绝缘衬底；在绝缘衬底上形成的半导体薄膜；具有一长度和宽度的第一栅电极，该栅电极通过栅极绝缘膜形成在半导体薄膜的表面上；具有第一导电类型的第一区和第二区，第一区和第二区形成在半导体薄膜的表面上或表面内，且如平面图中的视图所示在第一栅电极长度方向布置在第一栅电极的两侧上；具有与第一导电类型相对的相反导电类型的第三区，该区在栅极宽度方向上平行于第二区布置；共同连接第二区和第三区的导电薄膜；具有一长度和宽度的第二栅电极，该栅电极沿第二区通过栅绝缘膜形成在半导体薄膜的表面上；以及具有第一导电类型的第四区，该区形成在关于第二栅电极的第二区的相对侧，根据电路工作第一和第四区中的一个用作输出区。

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