用于互补金属氧化物半导体输出级的静电放电保护<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.8.21 DE 10139956.1
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司
地址：荷兰艾恩德霍芬
发明 (设计)人： J·C·雷纳
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：张志醒
摘要
　本发明涉及一种设备，用于改善集成电路中的ESD保护。为了实现有效使用芯片区域，提出在焊盘和集成电路之间连接无源元件，所述无源元件设在非导电层上和焊盘下面。当结合或测试时在损坏事件中，至多只有无源元件短路，但输出驱动级和集成电路的功能不受影响。
主权项
　权利要求书 1.用于改善集成电路的ESD保护装置，其中，形成在焊盘下面和非导电层上面的无源元件连接在焊盘和集成电路之间。

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