半导体存储元件、半导体装置及其制造方法<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.8.24 JP 253887/2001
申请(专利权)人：株式会社日立制作所
地址：日本东京
发明 (设计)人：长部太郎;石井智之
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王以平
摘要
　提供半导体存储元件、半导体装置。在要求高可靠性的半导体快速存储器中，由于必须通过将硅基板直接氧化了的氧化膜进行电子的进出，使用的电压从正到负成为大电压。与此不同，通过将电荷蓄积在多个分散的区域，能实现高可靠性。以该高可靠性为背景，不仅通过可靠性高的、将硅基板直接作成热氧化膜获得的氧化膜、而且通过用CVD法淀积的氧化膜等，能使电子移动，信息写入时及信息删除时用同一极性的电位进行控制。
主权项
　权利要求书 1.一种半导体存储元件，其特征在于：有源极区、漏极区，上述源极区和漏极区通过由半导体构成的沟道区连接，有由控制上述沟道区的电位的金属或半导体构成的栅极，在上述沟道区附近有多个电荷蓄积区，写入信息时加在上述栅极上的电位、和删除信息时加在上述栅极上的电位具有相同的极性。

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