肖特基势垒二极管及其制造方法<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.8.30 JP 261530/2001
申请(专利权)人：三洋电机株式会社
地址：日本大阪府
发明 (设计)人：浅野哲郎;小野田克明;中岛好史
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：杨梧;马高平
摘要
　一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等，故不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n型及n+型离子注入区域形成动作区域，不再需要设置台面及聚酰亚胺层，可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。可降低晶片的成本，由于可使电极间距离接近，故可实现芯片的缩小，也可提高高频特性。由于形成肖特基结区域时不蚀刻GaAs，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。
主权项
　权利要求书 1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：化合物半导体基板；设在该基板上的一导电型离子注入区域；邻接所述离子注入区域而设置的一导电型高浓度离子注入区域；第一电极，在所述高浓度离子注入区域成欧姆结；第二电极，与所述离子注入区域形成肖特基结并用于电极的取出。

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