太阳电池及其制造方法以及太阳电池的制造装置<%=id%>

分类号： H01L31/18;H01L31/04
颁证日：
优先权： 2001.8.31 JP 264397/2001;2001.12.18 JP 384788/2001
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
发明 (设计)人：岛川伸一;室真弘;佐藤琢也;根上卓之
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：温大鹏;郑建晖
摘要
　提供可高合格率且高产率地制造通用性强的太阳电池的制造方法以及制造装置。包含以下工序：在基板(11)形成长方形的第1电极层(12)的工序；在第1电极层(12)上形成长方形的半导体层(13)的工序；在半导体层(13)上形成长方形的第2电极层(14)的工序。第1电极层(12)以及第2电极层(14)中的至少1个电极层，利用以下工序分割成长方形：(a)涂抹抗蚀液并形成条状的抗蚀图的工序，(b)覆盖抗蚀图地形成上述至少1个电极层的工序，(c)同时除去抗蚀图以及在抗蚀图上形成的上述至少1个电极层的工序。
主权项
　权利要求书 1.一种太阳电池的制造方法，其特征在于：是具有带1个绝缘性的表面的基板和在前述表面上形成并串联连接的多个单元电池的太阳电池的制造方法，具有以下工序， (i)在前述基板的前述表面上形成第1电极层的工序， (ii)通过条状除去前述第1电极层的一部分而分割前述第1电极层的工序， (iii)在前述第1电极层上形成含结的半导体层的工序， (iv)通过条状除去前述半导体层的一部分而分割前述半导体层的工序， (v)在前述半导体层上以及除去前述半导体层而露出的前述第1电极层上形成第2电极层的工序， (vi)通过条状除去前述第2电极层的一部分而分割前述第2电极层的工序；前述第1电极层以及第2电极层中的至少1个电极层，利用包含以下工序的工序分割， (a)抹抗蚀液并形成条状的抗蚀图的工序， (b)覆盖前述抗蚀图地形成前述至少1个电极层的工序， (c)同时除去前述抗蚀图以及在前述抗蚀图上形成的前述至少1 个电极层的工序。

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