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分 类 号：
H01L33/00
颁 证 日：
优 先 权：
2001.8.31 JP 2001－263843
申请(专利权)人：
信越半导体株式会社
地 址：
日本东京
发 明 (设计)人：
鈴木金吾;池田均;金子康继
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海专利商标事务所
代 理 人：
张政权
摘要
在GaP系半导体基体70中，以p型层侧的主面作为第一主面10，以其相反侧的主面作为第二主面12。在第二主面，藉由研磨后用王水蚀刻，以形成可提高光全反射之向半导体基体70内侧凸之镜面状凹曲面51的集合；另一方面，在半导体基体70之第一接触层62形成区域及第二主面11以外，藉由实施异向性蚀刻，以形成为降低光全反射之向外侧凸之凸曲面53的集合。又，将形成于第二主面11上之第二接触层64(第二电极63)，用Au、Si及Ni所组成的合金所形成，将形成于第一主面10上之第一接触层62，用Au和Be或Zn之合金所形成。藉此，可提供出就算在间接跃迁型的发光形态也能充分的提高亮度之GaP系半导体发光组件。
主权项
权利要求书
1、一种GaP系半导体发光组件，其特征在于：
具备：具有p-n接合之GaP系半导体基体，以及用来对该半导
体基体施加发光驱动电压之电极；
以半导体基体之p型层侧的主面作为第一主面，以其相反侧的
主面作为第二主而，在半导体基体之第一主面及侧面，形成向外侧凸
之凸曲面所集合成之粗面，且在第二主面，系用王水蚀刻来形成镜面。
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