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分 类 号：
H01L33/00;H01S5/00
颁 证 日：
优 先 权：
2001.9.7 JP 272014/2001
申请(专利权)人：
夏普公司
地 址：
日本大阪府
发 明 (设计)人：
幡俊雄;笔田麻佑子;木村大觉
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京市柳沈律师事务所
代 理 人：
陶凤波;侯宇
摘要
一种光发射装置，该装置包括在Si衬底上从Si衬底起按顺序依次重叠的p型氮化物半导体层、发光层和n型氮化物半导体层。部分地除去所述Si衬底，以露出p型氮化物半导体层的一部分。在p型氮化物半导体层露出的区域上形成p型电极。
主权项
权利要求书
1.一种氮化物半导体光发射装置，该装置包括：在硅衬底上从硅衬底
起按顺序依次重叠的p型氮化物半导体层、发光层和n型氮化物半导体层，
其中S i衬底被部分地去掉，暴露出p型氮化物半导体层的一部分，在p型氮
化物半导体层的暴露的区域上形成p型电极。
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