端子间高度隔离、小型、低成本的矩阵开关装置<%=id%>

分类号： H03K17/00
颁证日：
优先权： 2001.7.4 JP 203228/2001
申请(专利权)人：ＮＥＣ化合物半导体器件株式会社;夏普株式会社
地址：日本神奈川县
发明 (设计)人：永野畅雄;恩田和彦;染井润一
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人：谷惠敏;关兆辉
摘要
　本发明提供了一种具有2×2矩阵SW的矩阵开关装置，其中，在前述2×2矩阵SW的后段具有 DT开关，前述2×2矩阵SW及前述 DT开关被半导体集成电路化并且相互形成为一体，前述2×2矩阵SW的2个输出端子中的一个以及前述 DT开关的2个输入端子中的一个在半导体集成电路芯片上相互电连接，前述2×2矩阵SW的2个输入端子、前述2×2矩阵SW的前述2个输出端子中的另一个、前述 DT开关的前述2个输入端子的另一个、以及前述 DT开关的1个输出端子分别被前述半导体集成电路芯片。
主权项
　权利要求书 1.一种矩阵开关装置，具有2输入2输出的矩阵开关，其特征是，前述2输入2输出的矩阵开关的后段具有单刀双掷开关，前述2输入2输出的矩阵开关以及前述单刀双掷开关被半导体集成电路化并且相互形成为一体，前述2输入2输出的矩阵开关的2个输出端子中的一个以及前述单刀双掷开关的2个输入端子中的一个在半导体集成电路芯片上相互电连接，前述2输入2输出的矩阵开关的2个输入端子、前述2输入2输出的矩阵开关的前述2个输出端子中的另一个、前述单刀双掷开关的前述2个输入端子的另一个、以及前述单刀双掷开关的1个输出端子分别被引出前述半导体集成电路芯片。

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