在发射层中具有二芳基蒽梯形聚合物的电场致发光器件<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.8.28 US 09/941009
申请(专利权)人：伊斯曼柯达公司
地址：美国纽约州
发明 (设计)人：郑世莺;石建民
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：张元忠;郭广迅
摘要
　具有阳极，阴极和设置在阳极和阴极之间的发射层的有机发光二极管，该发射层包括下列重复单元，其用于形成包括以下结构的均聚物或共聚物，其中各术语如说明书中所定义。
主权项
　权利要求书 1.具有阳极，阴极和设置在阳极和阴极之间的发射层的有机发光二极管，该发射层包括下列重复单元，其用于形成包括以下结构的均聚物或共聚物：其中： 0≤x＜1，0＜y≤1，和x+y＝1； S和T各自独立地是化学键，氧或硫原子，或-R，或N-R，其中C是碳原子，N是氮原子，和R是取代基，该取代基包括氢，具有1-24个碳原子的烷基，或具有6-28个碳原子的芳基或取代芳基，或具有4-40 个碳原子的杂芳基或取代杂芳基，或氰基，硝基，氯，溴，或氟原子；在包括D和E的每个环中，如果D或E是单键，则其它基团不是单键并且是R-C-R，其中C是碳原子和R是取代基； Ar1，Ar2，和Ar各自是具有6-40个碳原子的芳基或取代芳基；或 Ar1，Ar2，和Ar各自是具有4-40个碳原子的取代杂芳基或未被取代的杂芳基。

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