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颁 证 日：
优 先 权：
2000.3.16 JP 073806/2000
申请(专利权)人：
松下电器产业株式会社
地 址：
日本大阪府
发 明 (设计)人：
山下一郎
国 际 申 请：
CT/JP01/02140 2001.3.16
国 际 公 布：
WO01/68513 日 2001.9.20
进入国家日期：
2002.09.02
专利 代理 机构：
中科专利商标代理有限责任公司
代 理 人：
汪惠民
摘要
一种微小结构体的精密加工方法，在硅基板6上形成保存由氧化铁所形成的核1的铁蛋白4的二维结晶膜，然后，至少将核1作为蚀刻膜对硅基板1进行蚀刻。因为核1的直径为6nm，很细微，故能在基板上形成微小构造体，可以利用于利用半导体发光元件和量子效应的各种半导体元件的制造方面。
主权项
权利要求书
1.一种细微构造体的精密加工方法，其中包括：
步骤(a)，在基板上配置将微粒子保存在能保存微粒子的保存部分的有
机物分子；
步骤(b)，至少将上述微粒子作为蚀刻膜对上述基板上进行蚀刻加工。
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