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    高纯度低电阻的静电吸盘<%=id%>


    颁 证 日:
    优 先 权: 1999.12.9 US 09/458,278
    申请(专利权)人: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
    地 址: 美国马萨诸塞州
    发 明 (设计)人: R·迪瓦卡
    国 际 申 请: CT/US00/42555 2000.12.5
    国 际 公 布: WO01/42163 英 2001.6.14
    进入国家日期: 2002.06.07
    专利 代理 机构: 上海专利商标事务所
    代 理 人: 周承泽
    摘要
      通过使本体暴露在贫氮气氛(如主要包括氩的气氛)中至少约1000℃的热炼温度下来降低主要由氮化铝组成的本体的体积电阻系数。该本体可以是例如致密化或烧结体(如多晶体)的氮化铝粉料的坯体。静电吸盘在吸盘体内有一电极。吸盘体的第一部分在电极的第一面上,具有小于约1×1013Ω·cm的23℃体积电阻系数。第二部分在电极的第二面上,其体积电阻系数在和第一部分的同一个数量级内。
    主权项
      权利要求书 1.一种降低主要由氮化铝组成的本体的体积电阻系数的方法,该方法包括在 贫氮气氛中将该本体暴露于至少为约1000℃的温度。
         

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