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颁 证 日：
优 先 权：
2000.3.3 FR 00/02787
申请(专利权)人：
国家科研中心;里昂中心学校
地 址：
法国巴黎
发 明 (设计)人：
皮埃尔·维克托罗维齐
国 际 申 请：
CT/FR01/00547 2001.2.23
国 际 公 布：
WO01/65301 法 2001.9.7
进入国家日期：
2002.09.03
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
李德山
摘要
本发明公开了一种光电装置，它包括至少三个选定形状的半导体层(1-3)及两空气隙的交替叠放。所述半导体层(1-3)为“N”或“P”型掺杂，相邻层的掺杂类型相同或不同，所述半导体层之间由未特意掺杂(“I”型)或特意掺杂(N或P型)的隔离层(8，9)分隔开，形成一个气腔(10-1，10-2)PINIP或NIPIN结构，所述半导体层适合承受选定的相应电势。所述层(1-3)和隔离层各自的厚度和组成这样选择，使得所述结构具有至少一种适合待处理光的光传递功能，所述功能可根据施加给半导体层的选定电势加以调节。
主权项
权利要求书
1.半导体装置，其特征在于，它包括交替叠放的至少三个选定形
状的半导体层(1-3)及两空气隙，
这些半导体层中至少两层(1，2)有同类型的N或P型掺杂，而
至少第三层(3)含有P型或N型掺杂，所述层(1-3)之间分别由选
定的相应掺杂的隔离层(8，9)分隔开，以确定一气腔结构(10-1，
10-2)，所述结构包括至少两PIN型子结构，可承受选定的相应电势，
所述层(1-3)和隔离层(8，9)各自的厚度、组成及掺杂剂这样
选择，使得所述结构具有至少一种适合待处理的光的光传递功能，所
述功能可根据施加给半导体层以使其在静电作用下变形的选定电势而
调节。
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