|
|
|
|
|
|
|
|
分 类 号：
H01L21/265;H01L21/331;H01L29/73
颁 证 日：
优 先 权：
1999.10.8 SE 9903629－5
申请(专利权)人：
艾利森电话股份有限公司
地 址：
瑞典斯德哥尔摩
发 明 (设计)人：
T·约翰松;H·诺尔斯特伦
国 际 申 请：
CT/SE00/01911 2000.10.4
国 际 公 布：
WO01/27981 英 2001.4.19
进入国家日期：
2002.06.05
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
杨凯;陈霁
摘要
描述通过在晶体管的基极中加入铟来改进双极高频硅晶体管性能的方法。不是采用铟取代硼、以高β和高基极电阻为代价来提高β-厄雷电压乘积，而是将独立的硼、铟掺杂分布结合在基极中。晶体管既保留了纯粹硼基极晶体管的大部分特性，又因铟分布的加入而改善一些参数。这种“双面”或“加入铟”的晶体管展示了提高的β-厄雷电压乘积，抑制了集电极-基极电容摆动，降低了β的温度依赖性，还保留了纯粹硼基极晶体管的优点。为收到满意效果，必须以这样的方式把铟分布包含在硼分布范围内，使得β和有效基极宽度基本上不受影响，否则将破坏高频性能。还给出双极高频硅 晶体管的典型制造工艺，并有因附加的铟注入而改善的参数的记录。
主权项
权利要求书
1.一种在硅双极晶体管中获得提高的β-厄雷电压乘积和低温度
依赖性的方法，其特征在于包括以下步骤：
在硅双极晶体管的基极电极中以双分布形式组合硼和铟的掺杂分
布，以便在硼掺杂分布内形成铟掺杂分布，使得所述β和有效基极宽
基本上不受影响，从而保持所需的β值和基极电阻以及所需的高频特
性。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |
