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分 类 号：
C23C16/44;H01J37/32
颁 证 日：
优 先 权：
1999.12.22 US 09/469,286
申请(专利权)人：
兰姆研究公司
地 址：
美国加利福尼亚
发 明 (设计)人：
·C·理查德林;D·奥特卡
国 际 申 请：
CT/US00/32441 2000.12.8
国 际 公 布：
WO01/46490 英 2001.6.28
进入国家日期：
2002.06.20
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
陈季壮
摘要
一种清洗和调理等离子体反应腔体内表面的方法，在该腔体中加工例如硅晶片的基片。该方法包括例如通过湿洗或就地等离子体清洗的清洗腔体，将调理气体通入到腔体中，将调理气体激发成等离子体，在内表面上沉积一层聚合物层和加工基片。进行调理步骤可在腔体内没有例如晶片的基片，而且在加工晶片产品之前不用使调理晶片通过腔体而进行加工步骤。在用于蚀刻铝的等离子体反应腔体的情况下，调理气体能够包括含氟气体，含碳气体和含氯气体。
主权项
权利要求书
1.一种清洗和调理其中加工基片的等离子体反应腔体的方法，包括以下步
骤：
清洗等离子腔体以去除在腔体内表面上积累的沉积物；
将包含含氟气体和含碳气体的调理气体通入到腔体中；
将调理气体激发成等离子体；
利用等离子体在腔体的内表面沉积一聚合物层；和
在沉积步骤后在腔体中加工基片。
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