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    粗蚀刻硅太阳能电池的工艺<%=id%>


    分 类 号: H01L31/0236;H01L31/18;H01L21/306;H01L21/3213
    颁 证 日:
    优 先 权: 1999.12.22 DE 19962136.5
    申请(专利权)人: 默克专利有限公司
    地 址: 德国达姆施塔特
    发 明 (设计)人: A·屈贝尔可;C·杰林斯基
    国 际 申 请: CT/EP00/12328 2000.12.7
    国 际 公 布: WO01/47032 德 2001.6.28
    进入国家日期: 2002.06.19
    专利 代理 机构: 北京市中咨律师事务所
    代 理 人: 于静;李峥
    摘要
      本发明涉及在太阳能电池多晶、三晶以及单晶硅表面上或用于光电目的的硅衬底上制造粗糙表面的新颖方法。本发明特别涉及在硅衬底上制造粗糙表面的蚀刻方法和蚀刻剂。
    主权项
      权利要求书 1.一种在太阳能电池多晶、三晶以及单晶硅表面上或用于光电目的 的硅衬底上制造粗糙表面的蚀刻混合物,该混合物含有氢氟酸和从由硝酸、 硫酸和磷酸组成的组中选取的无机酸。
         

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