纳米氮化铟粉体的制备方法<%=id%>

分类号： C01B21/06;C01G15/00
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所
地址： 200050上海市定西路1295号
发明 (设计)人：高濂;李景国;张青红
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海智信专利代理有限公司
代理人：潘振甦
摘要
　本发明涉及一种制备纳米氮化铟粉体的方法。其特征在于由纳米三氧化二铟于管式反应炉中，在流动氨气条件下高温氮化，然后在流动氨气氛下，自然冷却至室温；流动氨气的流量为0.5～5升/分钟，氮化温度550～650℃，持续时间2～8小时。所得的纳米氮化铟的晶粒尺寸为50～300nm。三氧化二铟制备是以含铟的化合物为原料，以氨水或氢氧化钠溶液为沉淀剂进行沉淀反应，沉淀物经过滤、水洗、醇洗，然后干燥得到分散性良好的氢氧化铟，最后经450-500℃高温煅烧。本方法具有工艺简单、生产设备价格低廉且用氨气作为还原剂安全、可靠易于实现工业化生产。
主权项
　权利要求书 1、一种纳米级氮化铟粉体的制备方法，其特征在于： (1)由纳米三氧化二铟于管式反应炉中，在流动氨气条件下高温氮化，然后在流动氨气氛下，自然冷却至室温；流动氨气的流量为0.5～5升/分钟，氮化温度550～650℃，持续时间2～8小时。 (2)所述的纳米三氧化二铟制备工艺过程是： ①含铟的化合物配制成浓度为0.1-1M的水溶液；所述的含铟的化合物包括硝酸铟或氯化铟； ②在搅拌条件下，将氨水或氢氧化钠溶液逐滴加入到上述含铟的化合物的水溶液中沉淀反应； ③所得沉淀经过滤、水洗、醇洗以及100-120℃干燥，得到分散良好的氢氧化铟； ④最后，将氢氧化铟于450-650℃煅烧2小时。

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明