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颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
田中贵金属工业株式会社
地 址：
日本东京
发 明 (设计)人：
来田勝继;斋藤昌幸
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海专利商标事务所
代 理 人：
章鸣玉
摘要
本发明是一种包括以下两道工序的再生利用有机金属化合物的CVD制膜工艺技术：①从以往被废弃的排气中回收有机金属化合物的回收工序；②精制回收得到的有机金属化合物、清除CVD法制膜工序生成的副产物的精制工序。回收方法可采用以下各法中的任何一种：①将冷却排气所得物质作为回收分回收的方法；②将排气和溶剂接触，使有机金属化合物溶于溶剂然后加以回收的方法；③将排气和吸附剂接触，吸附有机金属化合物后加以回收的方法。精制方法因回收方法或回收分性状的不同而异，可从蒸馏回收法、升华回收法、加热吸附剂解吸有机金属化合物法中任选一种。在这些CVD薄膜工艺中，通过在回收工序之前，增加排气除氧工序和排气改质处理工序，可以较高的收率回收、精制有机金属化合物。
主权项
权利要求书
1、CVD制膜工艺，其特征在于包括以下四道工序：①将有机金属化合物
加热、气化以制得源气的气化工序；②将上述源气导入基板，使之在基板表
面反应，形成金属或金属氧化物薄膜的制膜工序；③通过冷却含有上述制膜
工序生成的反应产物和未反应源气之排气，使上述未反应源气凝结或凝固下
来，得到含有液态或固态有机金属化合物的回收分之回收工序；④分离、精
制上述回收分中有机金属化合物的精制工序。
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