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坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅－钛酸铅单晶<%=id%> |
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分 类 号：
C30B15/00;C30B29/22
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
中国科学院上海硅酸盐研究所
地 址：
200050上海市定西路1295号
发 明 (设计)人：
郭益平;罗豪甦;徐海清;贺天厚;殷之文
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海智信专利代理有限公司
代 理 人：
潘振甦
摘要
本发明涉及一种坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅-钛酸铅单晶(PINT)，属于晶体生长领域。其特征在于晶体组成为x PIN-(1-x)PT，其中PIN代表 (In1/2 1/2)O3，PT代表 TiO3，x＝0.50-0.70；晶体生长炉温范围1350-1430℃，坩埚下降的速率为0.1-2.0mm/h，最大温度梯度不小于50℃/cm；以异质同构的PMNT单晶作籽晶，S籽晶/S晶体≥70％；选用密封的铂坩埚作为生长坩埚。用本发明的技术可以生长出直径大于40mm，长度大于60mm的PINT单晶，其压电性能可以达到d33＞2000pC/N，k33＞90％，不仅可以满足超声成像及高应变驱动器等高技术应用对晶体材料性能的要求，而且可以满足超声成像及高应变驱动器等高技术应用对晶体材料的使用温度要求。
主权项
权利要求书
1、一种坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅-钛酸铅单晶，包括：原料
处理，升温熔化，坩埚下降生长、降温晶体生长过程，其特征在于：
(1)晶体组成为xPIN-(1-x)PT，其中PIN代表 (In1/2 1/2)O3，PT代
表 TiO3，x＝0.50-0.70；
(2)晶体生长炉温范围1350-1430℃，坩埚下降的速率为0.1-2.0mm/h，
最大温度梯度不小于50℃/cm；
(3)以异质同构的PMNT单晶作籽晶，S籽晶/S晶体≥70％；
(4)选用密封的铂坩埚作为生长坩埚。
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