在多个存储单元间共有存取元件的薄膜磁性体存储器<%=id%>

分类号： G11C11/15
颁证日：
优先权： 2001.9.21 JP 288825/2001
申请(专利权)人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
发明 (设计)人：大石司;日高秀人;石川正敏
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：刘宗杰;叶恺东
摘要
　构成MTJ存储单元的隧道磁阻元件连接在位线与条带之间。条带为同一子阵列内的在行方向上相邻的多个隧道磁阻元件所共有。存取晶体管连接在条带和接地电压之间，响应于对应的字线而导通或关断。由于无需与各隧道磁阻元件对应地设置存取晶体管就能进行数据读出，所以可以使阵列面积小型化。
主权项
　权利要求书 1.一种薄膜磁性体存储器，其特征在于，包括：含有配置成行列状的多个存储单元、沿列方向被分为多个列组的存储器阵列，各上述存储单元包含其电阻值随磁写入的存储数据而变化的隧道磁阻元件；分别与存储单元列对应配置的多条第1信号线；以及在各存储单元行中，分别与上述多个列组对应配置的多条第2信号线，各上述隧道磁阻元件在上述多条第1信号线中的对应的1条与上述多条第2信号线中的对应的一条之间电结合。

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